باتری گوشی هوشمندی که یک هفته دوام می‌آورد!

فرارو- شرکت سامسونگ الکترونیکس کره جنوبی و آی بی ام، غول فناوری آمریکایی در همکاری مشترکی موفق به توسعه تراشه جدیدی شدند که با فناوری منحصر بفرد خود می‌تواند مصرف انرژی را به طرز قابل توجهی کاهش و عمر باتری دستگاه را به یک هفته افزایش دهد.

به گزارش فرارو، IBM و سامسونگ آخرین پیشرفت خود را در طراحی نیمه هادی‌ها اعلام کرده اند که روشی جدیدی برای قرار دادن ترانزیستور‌ها به صورت عمودی روی یک تراشه -به جای قرار گرفتن افقی روی سطح نیمه هادی ها- است.

طراحی جدید ترانزیستور‌های اثر میدان انتقال عمودی (VTFET)، نسخه‌ای پیشرفته‌تر در فناوری فعلی FinFET است که در برخی از پیشرفته‌ترین تراشه‌های امروزی استفاده می‌شود و می‌تواند به تراشه‌هایی اجازه دهد که حتی متراکم‌تر از ترانزیستور‌های امروزی بسته‌بندی شوند. در اصل، طراحی جدید ترانزیستور‌ها را به صورت عمودی روی هم قرار می‌دهد و اجازه می‌دهد تا جریان به جای طرح افقی کنار به پهلو که در حال حاضر در اکثر تراشه‌ها استفاده می‌شود، از پشته ترانزیستور‌ها بالا و پایین جریان یابد.

اگرچه ما هنوز با استفاده از طرح‌های VTFET که می‌تواند در تراشه‌های واقعی استفاده شود، فاصله داریم، این دو شرکت ادعا‌های بزرگی را مطرح می‌کنند و خاطرنشان می‌کنند که تراشه‌های VTFET می‌توانند «دو برابر بهبود عملکرد یا کاهش ۸۵ درصدی مصرف انرژی» را ارائه دهند. با توجه به فناوری کنونی FinFET و با تأکید بر بسته بندی ترانزیستور‌های بیشتر در تراشه ها، IBM و سامسونگ ادعا می‌کنند که فناوری VTFET می‌تواند به هدف قانون مور برای افزایش پیوسته تعداد ترانزیستور‌ها کمک کند.

آی‌بی‌ام و سامسونگ همچنین به برخی موارد استفاده بلندپروازانه از فناوری جدید اشاره می‌کنند و ایده «باتری‌های تلفن همراه که می‌توانند بیش از یک هفته بدون شارژ به جای چند روز شارژ شوند»، استخراج ارز‌های دیجیتال با انرژی کمتر یا رمزگذاری داده‌ها و حتی دستگاه‌های قدرتمندتر اینترنت اشیا یا فضاپیماها، را مطرح می‌کنند.

IBM قبلاً اولین تراشه ۲ نانومتری خود را در اوایل سال جاری به نمایش گذاشته بود، که مسیر متفاوتی را برای جمع کردن ترانزیستور‌های بیشتر با افزایش مقداری که می‌تواند روی یک تراشه با استفاده از طراحی FinFET موجود انجام دهد، در پیش می‌گیرد. با این حال، VTFET می‌خواهد همه چیز را دگرگون کند، ولی احتمالاً هنوز فاصله زیادی با زمانی داریم که تراشه‌های مبتنی بر آی‌بی‌ام و آخرین فناوری سامسونگ به بازار راه یابند.

با این همه، این دو غول فناوری جهان تنها شرکت‌هایی نیستند که در صدد دگرگون کردن فناوری تراشه هستند. شرکت اینتل در تابستان امسال پیش‌نمایش طراحی RibbonFET را معرفی کرد که قرار است جانشین پیشنهادی این شرکت برای فناوری فعلی تولید FinFET باشد. این فناوری قرار است بخشی از نسل ۲۰A محصولات نیمه‌رسانای اینتل باشد که قرار است تولید خود را در سال ۲۰۲۴ آغاز کند. این شرکت همچنین اخیراً برنامه خود را برای فناوری ترانزیستور‌های انباشته به عنوان جانشین بالقوه RibbonFET در آینده نیز اعلام کرده است.

منبع: theverge

ترجمه: مصطفی جرفی-فرارو